(XHTT) Xu hướng tăng dung lượng Ram trên các thiết bị di động đang trở nên rất sôi động trong năm nay. Sau ASUS và Xiaomi, nhà sản xuất Samsung vừa rò rỉ thông tin về một biến thể cao cấp từ chiếc Galaxy S6 sẽ có Ram lên đến 4GB tích hợp bên trong. Sự việc xảy ra sau khi chiếc flagship từ Xiaomi mang tên Mi Note Pro được công bố với Ram 4GB, vài ngày sau một báo cáo từ Hàn Quốc nói rằng chiếc Samsung Galaxy S6 Edge sẽ trở thành đối trọng với Mi Note Pro khi cũng tích hợp Ram 4GB. Dự đoán được đưa ra từ các nhà phân tích làm việc tại Korea Investment & Securities, những người mong đợi chiếc Galaxy S6 sẽ có Ram 3GB theo điểm số rò rỉ từ website chấm điểm Benchmark AnTuTu. Ngoài ra, Galaxy S6 Edge được cho rằng là một biến thể cao cấp hơn từ S6 vì vậy thiết bị trang bị Ram 4GB là điều khá hợp lý. Samsung Galaxy S6 Edge sẽ có thiết kế màn hình cong 2 cạnh cùng cấu hình phần cứng ấn tượng 4GB Ram. Ảnh: Internet Về cấu hình phần cứng của cả 2 phiên bản Galaxy S6 và Galaxy S6 Edge được dự kiến sẽ có màn hình độ phân giải 2K (1440 x 2560 pixel), camera chính 20MP, camera phụ 5MP. Cả hai phiên bản được dự kiến sẽ được gia công hoàn toàn bằng kim loại và pin không thể tháo rời. Chip xử lý 8 nhân Exynos 7420 do Samsung tự sản xuất. Bên cạnh đó, việc chip xử lý Snapdragon 810 từ Qualcomm gặp lỗi về nhiệt độ sẽ khiến cho Samsung buộc lòng sản xuất từ 80% - 90% thiết bị Galaxy S6 thuộc lô hàng đầu tiên sẽ trang bị chip Exynos 7420. Bộ đôi thiết bị Galaxy S6 và Galaxy S6 Edge được dự đoán sẽ xuất hiện vào sự kiện NWC 2015 diễn ra vào tháng 3 năm nay. Vương Bảo (Theo Phonearena) Nguồn Xã hội thông tin
